ファインセラミックス

世界最高水準の高熱伝導率、高絶縁耐圧をもつ窒化ケイ素(Si3N4)と窒化アルミニウム(AlN)、絶縁性、耐熱、離型性に優れる窒化ホウ素(BN)を取り扱っております。

ファインセラミックスは、その高度な機能や特性により自動車や半導体、産業機械など幅広い分野で使用されております。

窒化ケイ素(Si3N4

種  類

活性金属銅(AMC)基板

プレーン基板

ベアリングボール

車載、産業用部品

主な用途

車載分野

パワーモジュール

軸受け

産業機械

特  長

高絶縁耐圧

高熱伝導率

高信頼性

耐摩耗性

耐熱性

■窒化ケイ素

Si3N4(SIN)

TSN-90

 電子用(基板)

TSN-03

 構造用(ベアリング、部品)

材 質

85~95

20

熱伝導率

650

1000

曲げ強度 (MPa・m1/2)

5~7

6~8

破壊靭性値(×10-6/K)

3

2.6

線膨張係数(kV/mm)

>14

>14

絶縁耐力

7~9

7~9

比誘電率

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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窒化アルミニウム(AlN)

窒化

アルミニウム

(AlN)

素材

種  類

プレーン基板

薄膜メタライズ基板

主な用途

半導体製品

半導体製造装置

車載分野

特  長

高絶縁耐圧

高熱伝導率

高信頼性

■窒化アルミニウム基板

材 質

 AIN

TAN-170

TAN-230

TAN-200

TAN-250

熱伝導率 (W/m・K)

160~180

220~235

190~210

240~255

曲げ強度 (MPa・m1/2)

350

330

350

330

破壊靭性値(×10-6/K)

2~4

2~4

2~4

2~4

線膨張係数(kV/mm)

4.5~4.6

4.5~4.6

4.5~4.6

4.5~4.6

絶縁耐力

>14

>14

>14

>14

比誘電率

8~9

8~9

8~9

8~9

■窒化アルミニウム薄膜メタライズ基板

材 質

TAN-200

TAN-170

 AIN

TAN-230

TAN-250

熱伝導率   (W/m・K)

厚さ     (mm)

厚さ公差   (mm)

190

160

220

240

0.20~0.35

±0.02

窒化アルミニウム

(AlN)素材

膜構成

Ti / Pt / Au

膜厚     (μm)

0.5~3.5(パターンあり)

膜厚精度   (%)

±20

導体薄膜

膜構成

Au-Sn(Au: 66~76wt%)

膜厚     (μm)

1.5~3.5(パターンあり)1.5~5.0(パターンなし)

膜厚精度   (%)

±20

はんだ膜

パターニング精度(μm)

パターン形成

±20

切断

切断精度   (μm)

±30

納入形態

シート貼り

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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窒化ホウ素(BN)

主な用途

焼結治具

溶解治具

離型剤

潤滑剤

フィラー

特 長

絶縁性

耐熱性

離型性

潤滑性

高熱伝導

■窒化ホウ素焼結体

材 質

CR-

BN-H

CR-

BN-99

CR-

BN-B

CR-

BN-C

CR-

BN-E

成分

BN>99%

N+Zr+Al

BN+SiC

BN+AlN

BN>99%

灰白

灰緑

灰緑

密度    (g/cm3)

1.5-1.6

2.25-2.35

2.40-2.50

2.45-2.95

1.9-2.0

酸素含有量 (%)

≦0.1

≦0.4

体積固有抵抗(Ω・cm)

>1014

>1013

>1012

>1013

>1014

使用温度(℃)

≦900

≦1000

≦1000

≦1000

≦2100

≦1750

≦1750

≦1800

≦1900

≦1750

≦1750

≦1800

空気

不活性雰囲気

真空

≦900

≦2100

≦1900

3点曲げ強度(MPa)

28

65

80

90

30

-0.4

2.0

2.8

2.8

熱膨張係数 (10-6/℃)

1.5

15

30

40

85

熱伝導率  (W/m・K)

35

■窒化ホウ素粉末

材 質

BN-B

BN-E

BN-C

BN-N

BN-S

BN-SS

BN    (%)

>99

>99

>99

>99

>99

>99

B2O3     (%)

<0.2

<0.2

<0.15

<0.1

<0.1

<0.1

O    (%)

<1

<1

<1

<1

<1

<1

C      (%)

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

Fe     (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Cr     (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Ni     (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Cu   (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Mg   (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

水分残 (%)

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

粒度  (D50)(μm)

1.7

4.5

9.5

16

30

38

比表面積(m2/g)

30.3

11.5

9.2

3.0

2.0

1.5

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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CR-

BN-99

CR-

BN-H

CR-

BN-B

CR-

BN-C

CR-

BN-E

密度    

酸素含有量 

体積固有抵抗

使用温度

3点曲げ強度

熱膨張係数 

熱伝導率  

B   

>99

>99

>99

>99

>99

>99

<0.2

<0.2

<0.15

<01

<0.1

<01

   

<1

<1

<1

<1

<1

<1

     

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

F     

<10

<10

<10

<10

<10

<10

C    

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Ni    

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Cu  

<10

<10

<10

<10

<10

<10

M  

<10

<10

<10

<10

<10

<10

水分残 

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

粒度  

1.7

4.5

9.5

16

30

38

比表面積

30.3

11.5

9.2

3.0

2.0

1.5

ファインセラミックス

世界最高水準の高熱伝導率、高絶縁耐圧をもつ窒化ケイ素(Si3N4)と窒化アルミニウム(AlN)、絶縁性、耐熱、離型性に優れる窒化ホウ素(BN)を取り扱っております。

ファインセラミックスは、その高度な機能や特性により自動車や半導体、産業機械など幅広い分野で使用されております。

窒化ケイ素(Si3N4

種  類

活性金属銅(AMC)基板

プレーン基板

ベアリングボール

車載、産業用部品

主な用途

車載分野

パワーモジュール

軸受け

産業機械

特  長

高絶縁耐圧

高熱伝導率

高信頼性

耐摩耗性

耐熱性

■窒化ケイ素

Si3N4(SIN)

材 質

TSN-90

 電子用(基板)

TSN-03

 構造用(ベアリング、部品)

熱伝導率

85~95

20

曲げ強度(MPa・m1/2)

650

1000

破壊靭性値(×10-6/K)

5~7

6~8

線膨張係数(kV/mm)

2.6

3

絶縁耐力

>14

>14

比誘電率

7~9

7~9

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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窒化アルミニウム(AlN)

種  類

プレーン基板

薄膜メタライズ基板

主な用途

半導体製品

半導体製造装置

車載分野

特  長

高絶縁耐圧

高熱伝導率

高信頼性

■窒化アルミニウム基板

材 質

 AIN

TAN-170

TAN-230

TAN-200

TAN-250

熱伝導率 (W/m・K)

160~180

220~235

190~210

240~255

曲げ強度 (MPa・m1/2)

350

330

350

330

破壊靭性値(×10-6/K)

2~4

2~4

2~4

2~4

線膨張係数(kV/mm)

4.5~4.6

4.5~4.6

4.5~4.6

4.5~4.6

絶縁耐力

>14

>14

>14

>14

比誘電率

8~9

8~9

8~9

8~9

■窒化アルミニウム薄膜メタライズ基板

材 質

TAN-200

TAN-170

 AIN

TAN-230

TAN-250

熱伝導率 (W/m・K)

厚さ   (mm)

厚さ公差 (mm)

190

160

220

240

0.20~0.35

±0.02

 

窒化

アルミニウム

(AlN)

素材

膜厚精度 (%)

膜構成

Ti / Pt / Au

±20

膜厚   (μm)

0.5~3.5(パターンあり)

導体薄膜

膜厚精度 (%)

膜構成

Au-Sn(Au: 66~76wt%)

膜厚   (μm)

1.5~3.5(パターンあり) 1.5~5.0(パターンなし)

±20

はんだ膜

パターニング精度(μm)

パターン形成

±20

切断精度 (μm)

切断

±30

納入形態

シート貼り

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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窒化ホウ素(BN)

主な用途

焼結治具

溶解治具

離型剤

潤滑剤

フィラー

特 長

絶縁性

耐熱性

離型性

潤滑性

高熱伝導

■窒化ホウ素焼結体

材 質

CR-

BN-H

CR-

BN-99

CR-

BN-B

CR-

BN-C

CR-

BN-E

成分

BN>99%

N+Zr+Al

BN+SiC

BN+AlN

BN>99%

灰白

灰緑

灰緑

密度    (g/cm3)

1.5-1.6

2.25-2.35

2.40-2.50

2.45-2.95

1.9-2.0

酸素含有量 (%)

≦0.1

≦0.4

体積固有抵抗(Ω・cm)

>1014

>1013

>1012

>1013

>1014

真空

使用温度

(℃)

≦900

≦1000

≦1000

≦1000

≦2100

≦1750

≦1750

≦1800

≦1900

≦1750

≦1750

≦1800

空気

不活性雰囲気

≦900

≦2100

≦1900

3点曲げ強度(MPa)

28

65

80

90

30

-0.4

2.0

2.8

2.8

熱膨張係数 (10-6/℃)

1.5

15

30

40

85

熱伝導率  (W/m・K)

35

■窒化ホウ素粉末

材 質

BN-B

BN-E

BN-C

BN-N

BN-S

BN-SS

>99

>99

>99

>99

>99

>99

BN    (%)

<0.2

<0.2

<0.15

<0.1

<0.1

<0.1

B2O3     (%)

<1

<1

<1

<1

<1

O    (%)

<1

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

C      (%)

<10

<10

<10

Fe     (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Cr     (ppm)

<10

<10

<10

Ni    (ppm)

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

<10

Cu   (ppm)

<10

<10

<10

Mg   (ppm)

<10

<10

<10

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

水分残 (%)

38

30

1.7

粒度   (D50)(μm)

4.5

9.5

16

30.3

11.5

9.2

3.0

2.0

1.5

比表面積(m2/g)

◎表の値は参考値であり、保証値ではありません。

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